Einführung in die Dünnschichttechnologie

Die Dünnschichttechnologie ist in dem Bereich der Photovoltaik ein relativ junger Markt, was zu permanente Neu- und Weiterentwicklungen führt.

So lassen sich die verschiedenen Dünnschichttechnologien anhand Ihrer Halbleitermaterialien wie folgt unterscheiden:

• Beschichtungen mit amorphen und mikrokristallinen Silizium (a-Si und µc-Si),
• Cadmiumtellurid (CdTe) sowie
• die Verbindungen mit Chalcopyritstruktur CuInS2 (CIS, CIGS, CISe).

Im Allgemeinen überzeugen die verschiedenen Dünnschichttechnologien durch ihre hohe Flexibilität bezüglich Modulform, -größe und der Vielzahl an Anwendungsmöglichkeiten.

Darüber hinaus ist der Material- und Energieaufwand bei der Herstellung der verschiedenen Dünnschichttechnologien etwas geringer als bei kristallinen Modulen, was dazu führt, dass die energetische Amortisationszeit von Dünnschichtmodulen ca. 1 bis 2 Jahre unter der energetischen Amortisationszeit von kristallinen Modulen liegt.

Jedoch führen die geringeren Wirkungsgrade der verschiedenen Dünnschicht- Photovoltaik- Module gegenüber kristallinen Photovoltaik- Modulen (Leistung pro Fläche) zu einem erhöhten Platzbedarf und mehr Arbeitsaufwand bei festgelegter Anlagenleistung.

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